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研磨斷面觀察是在對(duì)含有車載用途的電子部品和元件進(jìn)行可靠性試驗(yàn)后，實(shí)施良品或不良品解析以及構(gòu)造解析的重要技術(shù)。為了使用此技術(shù)，需要以必要的精度，一邊控制對(duì)斷面產(chǎn)生的應(yīng)力的可能最小限度，將想要觀察的部位制作成試料。
最基本的試料作成工序如下所示：
1、由于裁切出一部分試料，將樣品全體用樹(shù)脂包埋；
2、樹(shù)脂硬化后，從樣品上切下需要的試料部位；
3、裁切后的試料，按照研磨面的方向擺放整齊，再次用樹(shù)脂包埋；
4、樹(shù)脂硬化后，通過(guò)手動(dòng)研磨，替換使用由粗到細(xì)的型號(hào)研磨紙，削出希望的部位；
5、使用自動(dòng)研磨機(jī)將研磨材料的砥粒研磨得更加精細(xì)使研磨表面呈現(xiàn)鏡面狀態(tài)。
此工法由于在⑤使用了自動(dòng)研磨機(jī)，所以試料尺寸需要能夠包含φ25 mm、φ30 mm及φ40 mm的圓柱中的任意一個(gè)尺寸，而且，由于自動(dòng)研磨機(jī)可以一次性處理同一條件的多個(gè)試料，因此可以在短時(shí)間內(nèi)高精度地完成研磨。
上述圓柱無(wú)法包含試料時(shí)，包括完成工序在內(nèi)全部進(jìn)行手動(dòng)研磨，與使用自動(dòng)研磨機(jī)相比，需要更長(zhǎng)的加工時(shí)間。另外，如果是單個(gè)試料，上述圓柱可以包含的情況下，不需要對(duì)試料全體進(jìn)行樹(shù)脂包埋，可以從工序③開(kāi)始，由于省略了樹(shù)脂包埋?硬化處理這兩道工序，因此可以縮短加工時(shí)間，然后，對(duì)于荷重會(huì)影響試料表面研磨工序的、用于表面分析的試料（例如EBSD用、脆弱的材料），在上述①～⑤的工序中，在手動(dòng)研磨工序中使用的研磨紙的型號(hào)，需要在前面階段使用細(xì)的型號(hào)。
闊智科技IC芯片開(kāi)封的封裝類型為普通封裝 COB、BGA、QFP、 QFN、SOT、TO、 DIP、BGA、COB 陶瓷、金屬等其它特殊封裝，并提供芯片失效分析分析，化學(xué)開(kāi)封，激光開(kāi)封。
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退金（褪金）是用一種特殊的溶劑來(lái)退除電鍍金層或化學(xué)沉金的。一般要求無(wú)毒無(wú)害退金劑，無(wú)重金屬，無(wú)氰化物，專用于金鍍層的退除。退金速度快，根據(jù)鍍層厚度一般2-30s即可退掉，退金過(guò)
可以對(duì)機(jī)械研磨難以加工的高分子和金屬，復(fù)合材料等各種試料進(jìn)行無(wú)應(yīng)力加工，在無(wú)變形、不破壞試料的結(jié)晶構(gòu)造的情況下，可以對(duì)積層形狀、結(jié)晶狀態(tài)、異物斷面進(jìn)行解析。
結(jié)構(gòu)分析方法有金相切片，F(xiàn)IB切割及離子研磨，CP研磨等方式，通過(guò)金相顯微鏡，SEM，TEM進(jìn)行放大觀察金相結(jié)構(gòu)。
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